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半导体发光元件及发光装置

文献类型:专利

作者萩野裕幸; 左文字克哉
发表日期2013-09-18
专利号CN103314488A
著作权人松下电器产业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体发光元件及发光装置
英文摘要本发明提供一种半导体发光元件(100),具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成,并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。
公开日期2013-09-18
申请日期2011-07-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90740]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下电器产业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
萩野裕幸,左文字克哉. 半导体发光元件及发光装置. CN103314488A. 2013-09-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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