单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二 |
| 发表日期 | 2006-06-21 |
| 专利号 | CN1790759A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 |
| 英文摘要 | 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。 |
| 公开日期 | 2006-06-21 |
| 申请日期 | 2002-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90746]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,冈久拓司,中畑成二,等. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法. CN1790759A. 2006-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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