GAN單晶衬底及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 元木健作; 岡久拓司; 松本直樹 |
| 发表日期 | 2005-03-18 |
| 专利号 | HK1031469A |
| 著作权人 | 住友電氣工業株式會社 |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GAN單晶衬底及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。 |
| 公开日期 | 2005-03-18 |
| 申请日期 | 2001-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90757]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,岡久拓司,松本直樹. GAN單晶衬底及其制造方法. HK1031469A. 2005-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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