一种电致单光子源器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 马奔; 陈泽升; 尚向军; 倪海桥; 牛智川 |
| 发表日期 | 2016-11-09 |
| 专利号 | CN106099642A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种电致单光子源器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 申请日期 | 2016-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马奔,陈泽升,尚向军,等. 一种电致单光子源器件及其制备方法. CN106099642A. 2016-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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