一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐天鸿; 黎华; 曹俊诚 |
| 发表日期 | 2016-11-02 |
| 专利号 | CN106067656A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。 |
| 公开日期 | 2016-11-02 |
| 申请日期 | 2016-06-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90763]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐天鸿,黎华,曹俊诚. 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法. CN106067656A. 2016-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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