一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张国义; 杨志坚; 方浩; 李丁; 桑立雯; 陶岳彬; 康香宁; 孙永健; 陆羽; 赵璐冰 |
| 发表日期 | 2010-03-31 |
| 专利号 | CN101685768A |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释放法：第一步采用侧向外延技术，使样品只有部分区域与异质外延衬底相连接，可以天然的释放部分应力；第二步采用激光剥离技术使样品从异质外延衬底上剥落，再释放部分应力。采用本发明方法得到的自支撑单晶氮化镓衬底具有应力释放均匀、成品率高、适于大规模工业生产的特点。 |
| 公开日期 | 2010-03-31 |
| 申请日期 | 2008-09-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国义,杨志坚,方浩,等. 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法. CN101685768A. 2010-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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