电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈培良; 马向阳; 李东升; 杨德仁 |
| 发表日期 | 2008-11-05 |
| 专利号 | CN101299513A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法。该器件在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。制备步骤如下：利用直流反应磁控溅射或溶胶－凝胶法在清洗的n型硅片上生长ZnO薄膜；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溶胶－凝胶法在硅片上沉积SiO2薄膜并在氧气氛下进行热处理；再在SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的电场诱导光抽运硅基ZnO薄膜随机激光器的结构和实现方式简单，可以在低功率连续波He－Cd激光的辐照下通过电场诱导获得来自于ZnO薄膜的随机激光，光抽运强度比常规光抽运随机激光的抽运强度低5－6个数量级。 |
| 公开日期 | 2008-11-05 |
| 申请日期 | 2008-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90771]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈培良,马向阳,李东升,等. 电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法. CN101299513A. 2008-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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