针对外延侧向下安装优化的量子级联激光器
文献类型：专利
| 作者 | R.毛里尼; A.比斯穆托; T.格雷施; A.米勒 |
| 发表日期 | 2017-11-28 |
| 专利号 | CN107408790A |
| 著作权人 | 阿尔佩斯激光有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 针对外延侧向下安装优化的量子级联激光器 |
| 英文摘要 | 对于量子级联激光器（QCL）的外延侧向下粘接，重要的是优化QCL芯片与芯片安装于其的热沉之间的热传递。这通过使用具有高热导率的热沉并且通过使激光器有源区和所述热沉之间的热阻最小化来实现。在涉及的倒装型构型中，QCL的有源区定位成距热沉仅几微米，这从热学观点来看是优选的。然而，这种设计的实现具有挑战性，并且如果不采取具体预防措施则通常会导致低的制造产量。由于有源区非常接近热沉，因此焊接材料可能在粘接过程期间在芯片的侧面上渗出，并可能使装置短路，从而使其不能使用。为了避免这种情况发生，本发明提出除了两个波导小平面（即有源区的端部）之外，在芯片的整个周围设置沟槽。该沟槽可被蚀刻于否则将是标准的QCL芯片中，或以其它方式被机加工于芯片中，从而在倒装贴片过程期间为由芯片使其移位的焊料的体积提供初始为空的空间，该空的空间被多余的焊料占据而不接触芯片的侧面且因此不使装置短路。 |
| 公开日期 | 2017-11-28 |
| 申请日期 | 2014-12-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90775]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿尔佩斯激光有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R.毛里尼,A.比斯穆托,T.格雷施,等. 针对外延侧向下安装优化的量子级联激光器. CN107408790A. 2017-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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