表面发射激光元件及其制造方法和表面发射激光阵列及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原秀树; 齐藤裕久; 中西文毅; 松川真治 |
| 发表日期 | 2009-08-05 |
| 专利号 | CN101501946A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面发射激光元件及其制造方法和表面发射激光阵列及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III－V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。 |
| 公开日期 | 2009-08-05 |
| 申请日期 | 2007-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90777]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原秀树,齐藤裕久,中西文毅,等. 表面发射激光元件及其制造方法和表面发射激光阵列及其制造方法. CN101501946A. 2009-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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