电极结构，半导体器件，及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐佐木达也; 芝和宏; 河本滋; 角野雅芳 |
| 发表日期 | 2008-07-09 |
| 专利号 | CN101218663A |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电极结构，半导体器件，及其制造方法 |
| 英文摘要 | 包含Ti作为组成元素的第一层，包含Nb作为组成元素的第二层和包含Au作为组成元素的第三层被形成在GaN衬底11上。此后，GaN衬底11和所述第一至第三层被保持在700℃或更高以及1300℃或更低处。这允许Ti的金属氧化物从GaN衬底11和电极14之间的分界面延伸到整个电极14的内部。进一步，在GaN衬底11的内部中形成Nb的金属氮化物。Nb的金属氮化物将被分布为从电极14的内部延伸到整个GaN衬底11的内部。 |
| 公开日期 | 2008-07-09 |
| 申请日期 | 2006-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90780]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐佐木达也,芝和宏,河本滋,等. 电极结构，半导体器件，及其制造方法. CN101218663A. 2008-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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