半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小出典克; 山本淳次; 堂北刚; 泽木宣彦; 本田善央; 黑岩洋佑; 山口雅史 |
| 发表日期 | 2005-03-23 |
| 专利号 | CN1194425C |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种生产半导体发光器件的方法，其步骤包括：在硅衬底表面上形成一层具有多个开口的掩膜层的步骤；和用氮化物半导体材料在多个开口中的每一个开口内形成含有发光层的柱状多层结构的步骤。掩膜层多个开口中相邻的两个开口之间的宽度等于或小于10μm。 |
| 公开日期 | 2005-03-23 |
| 申请日期 | 2002-11-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小出典克,山本淳次,堂北刚,等. 半导体发光器件及其制造方法. CN1194425C. 2005-03-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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