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半導體雷射

文献类型:专利

作者岡本國美; 太田裕朗
发表日期2008-11-16
专利号TW200845524A
著作权人羅姆股份有限公司
国家中国台湾
文献子类发明申请
其他题名半導體雷射
英文摘要本發明之半導體雷射係包含以c面以外之晶面作為結晶生長主面之六方晶構造之III族氮化物半導體之法布立-柏若(Fabry-Perot)型半導體雷射。本半導體雷射係包含平行於與c軸交叉之平面之+c軸側端面及-c軸側端面,使來自+c軸側端面之雷射輸出大於來自-c軸側端面之雷射輸出,而以前述+c軸側端面作為雷射出射端面。與c軸之對前述結晶生長主面之投影向量較佳係平行地形成波導路。又,前述結晶生長主面較佳係m面。另外,前述+c軸側端面較佳係+c面,前述-c軸側端面係-c面。
公开日期2008-11-16
申请日期2008-01-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90790]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位羅姆股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
岡本國美,太田裕朗. 半導體雷射. TW200845524A. 2008-11-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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