氮化物半导体元件及其制法
文献类型：专利
| 作者 | 中原健 |
| 发表日期 | 2008-04-30 |
| 专利号 | CN101171694A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体元件及其制法 |
| 英文摘要 | 本发明提供通过将加工性好的氧化锌系化合物用作基板，使生长的氮化物半导体的结晶性良好，而且具有能够非常简单地进行基板剥离和芯片化的结构的氮化物半导体元件及其制法。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层形成氮化物半导体元件时，基板由MgxZn1－xO(0＜x≤0.5)构成，与该基板相接地设置有由InyGa1－yN(0≤y≤0.5)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层上叠层氮化物半导体层(3)～(7)，以形成半导体元件。 |
| 公开日期 | 2008-04-30 |
| 申请日期 | 2006-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90792]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原健. 氮化物半导体元件及其制法. CN101171694A. 2008-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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