氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治 |
| 发表日期 | 2006-10-11 |
| 专利号 | CN1845346A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。 |
| 公开日期 | 2006-10-11 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村修二,山田孝夫,妹尾雅之,等. 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法. CN1845346A. 2006-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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