基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器
文献类型：专利
| 作者 | 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊; 张锋华; 张帅; 秦川; 蒋燕 |
| 发表日期 | 2017-11-28 |
| 专利号 | CN107404067A |
| 著作权人 | 南京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 |
| 英文摘要 | 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件，设置在所述p‑n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p‑电极的引线电极区和n‑电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
| 公开日期 | 2017-11-28 |
| 申请日期 | 2017-06-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施政,沈湘菲,王永进,等. 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器. CN107404067A. 2017-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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