面発光半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 朱実; 乙間 広己; 石井 亮次 |
| 发表日期 | 2011-12-09 |
| 专利号 | JP4877471B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 信頼性および歩留まりを改善する面発光型半導体レーザ用基板を提供する。 【解決手段】 VCSEL用基板100は、スクライビングまたはダイシングする素子分離領域200によって分離された複数の素子領域110を含み、各素子領域110には、基板100と垂直方向にレーザ光を出射する発光部112と、発光部112と電気的に接続された電極パッド118が形成されている。素子分離領域200には、各素子領域110の発光部112とそれぞれ電気的に接続された検査用電極パッド204が形成されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2012-02-15 |
| 申请日期 | 2005-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 朱実,乙間 広己,石井 亮次. 面発光半導体レーザの製造方法. JP4877471B2. 2011-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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