具有一侧上加宽的脊结构的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | C.艾希勒; J.米勒; F.科普 |
| 发表日期 | 2016-06-01 |
| 专利号 | CN105637721A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有一侧上加宽的脊结构的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器（1），包括主体（2）以及布置在所述主体上的脊结构（3），所述脊结构在有源区带之上被沿着纵向轴定向，其中，所述脊结构具有第一宽度，并且其中，所述脊结构沿着所述纵向轴（8）具有两个相对的端表面，其中所述脊结构与至少一个端表面相邻地具有相对于所述脊结构的中心轴布置在一侧上的端分段（5），以使得所述脊结构（3）与所述端表面相邻地在一侧上被加宽。此外，在所述脊结构的相对于端分段的侧上，断裂沟道（47）被与所述端表面相邻地并且在距所述脊结构（3）一定距离处布置在所述主体的表面中。所述半导体激光器被生长在晶片（17）上，并且切块在沿着所述端分段和所述断裂沟道（47）的纵向轴中心定位的断裂方向（14）上发生。 |
| 公开日期 | 2016-06-01 |
| 申请日期 | 2014-10-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C.艾希勒,J.米勒,F.科普. 具有一侧上加宽的脊结构的半导体激光器. CN105637721A. 2016-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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