第III族氮化物半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡边温; 木村义则; 太田启之 |
| 发表日期 | 2002-11-20 |
| 专利号 | CN1380727A |
| 著作权人 | 日本先锋公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第III族氮化物半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体激光器,其中激励电压较低并且光线的横模稳定,它具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层,第III族氮化物半导体通过公式(AlxGa1－x)1－yInyN(其中0≤x≤1,0≤y≤1)表示。该层包括一个激活层侧导引层,它接近于第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Alx’Ga1－x’－y’Iny’N(其中0≤x’≤1,0≤y’≤1)构成,沉积在所述引导层上并且具有条纹状孔隙的电流压缩AlN层,包括一个由Alx”Ga1－x”－y”Iny”N(其中0≤x”≤1,0≤y”≤1)构成并且沉积填充电流压缩层孔隙的电极侧导引层,以及一个由AluGa1－u－vInvN(其中0≤u≤1,0≤v≤1)构成并且沉积在电极侧导引层上的镀层。 |
| 公开日期 | 2002-11-20 |
| 申请日期 | 2002-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90850]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本先锋公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边温,木村义则,太田启之. 第III族氮化物半导体激光器及其制造方法. CN1380727A. 2002-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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