光半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 吉田乔久; 盐谷阳平; 京野孝史; 上野昌纪 |
| 发表日期 | 2013-12-18 |
| 专利号 | CN103460529A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可小型化且可容易制作的多波长的光半导体元件。半导体激光元件（1A）包括：GaN基板（10），其主面（10a）具有第一面取向；激光构造部（20），其生长于主面（10a）的第一区域上，且包含活性层（24）；GaN薄膜（40），其经由接合层（41）而接合于主面（10a）的与第一区域不同的第二区域，且表面（40a）具有与第一面取向不同的第二面取向；以及激光构造部（30），其生长于GaN薄膜（40）的表面（40a）上，且包含活性层（34）。活性层（24、34）分别具有包含In的阱层，这些阱层的发光波长互不相同。 |
| 公开日期 | 2013-12-18 |
| 申请日期 | 2012-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90853]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田乔久,盐谷阳平,京野孝史,等. 光半导体元件. CN103460529A. 2013-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。