半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 左文字克哉; 川口真生; 春日井秀纪 |
| 发表日期 | 2011-01-05 |
| 专利号 | CN101939881A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。 |
| 公开日期 | 2011-01-05 |
| 申请日期 | 2009-10-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90866]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字克哉,川口真生,春日井秀纪. 半导体激光装置及其制造方法. CN101939881A. 2011-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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