半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 河内泰之; 中西秀行; 油利正昭; 吉川昭男; 石黑永孝 |
| 发表日期 | 1999-11-10 |
| 专利号 | CN1234639A |
| 著作权人 | 松下电子工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光装置,包括具有阳极和阴极的半导体激光器片及场效应晶体管。半导体激光器片的阳极连接场效应晶体管的漏极。场效应晶体管的栅极连接场效应晶体管的漏极。半导体激光器片的阴极连接场效应晶体管的源极。 |
| 公开日期 | 1999-11-10 |
| 申请日期 | 1999-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90880]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电子工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河内泰之,中西秀行,油利正昭,等. 半导体激光装置. CN1234639A. 1999-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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