氮化物半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 山口敦史; 仓本大; 仁道正明 |
| 发表日期 | 2002-03-20 |
| 专利号 | CN1340891A |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明,在低位错密度的n型GaN衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有InxAlyGa1－x－yN(0 |
| 公开日期 | 2002-03-20 |
| 申请日期 | 2001-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口敦史,仓本大,仁道正明. 氮化物半导体激光器. CN1340891A. 2002-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。