生长于非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上的装置
文献类型：专利
| 作者 | 罗伯特・M・法雷尔; 迈克尔・伊萨; 詹姆斯・S・斯佩克; 史蒂文・P・登巴尔斯; 中村秀治 |
| 发表日期 | 2012-05-09 |
| 专利号 | CN102449737A |
| 著作权人 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 生长于非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上的装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。 |
| 公开日期 | 2012-05-09 |
| 申请日期 | 2010-03-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90925]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗伯特・M・法雷尔,迈克尔・伊萨,詹姆斯・S・斯佩克,等. 生长于非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上的装置. CN102449737A. 2012-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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