掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵广军; 董勤; 丁雨憧; 陈建玉 |
| 发表日期 | 2010-11-17 |
| 专利号 | CN101886292A |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法，该激光晶体的分子式为：(EryGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x≤0.9。采用熔体法生长掺铒硅酸钇钆激光晶体。该激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管或铒光纤激光器进行泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于宽的波长调谐。 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 申请日期 | 2010-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,董勤,丁雨憧,等. 掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法. CN101886292A. 2010-11-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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