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半导体激光装置

文献类型:专利

作者玄永康一; 田中宏和; 弓削省三; 河本聪; 盐泽秀夫
发表日期2011-04-06
专利号CN102005700A
著作权人株式会社东芝
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光装置
英文摘要本发明提供一种半导体激光装置,可降低偏振方向的角度偏离,其包括:激光器阵列,其具有:具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极;底座,其具有:绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05~0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层;把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层;以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层,上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
公开日期2011-04-06
申请日期2010-03-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90949]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社东芝
推荐引用方式
GB/T 7714
玄永康一,田中宏和,弓削省三,等. 半导体激光装置. CN102005700A. 2011-04-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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