半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 向山 尚孝; 大森 誠也; 村上 朱実; 石井 亮次; 近藤 崇 |
| 发表日期 | 2008-02-14 |
| 专利号 | JP2008034638A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 チップサイズの小型化を実現しつつチップのダイボンディングを可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るVCSELの製造方法は、100μm角以下に切断され、かつ一様に離間されたチップ12を支持するダイボンディングテープ14をサブマウント16上に載せ、その後、サブマウント16をチップ12の外形よりも大きな外形に切断し、実装用チップ30を作成する。実装用チップ30は、ダイボンダー用コレット20により吸着できる程度のサイズを有しており、コレット30に把持された実装用チップ30がダイパット32上に搬送する、ダイボンディングされる。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-02-14 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91009]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向山 尚孝,大森 誠也,村上 朱実,等. 半導体装置の製造方法. JP2008034638A. 2008-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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