III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二 |
| 发表日期 | 2014-09-10 |
| 专利号 | CN102668279B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。 |
| 公开日期 | 2014-09-10 |
| 申请日期 | 2010-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91014]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,高木慎平,池上隆俊,等. III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法. CN102668279B. 2014-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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