半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤典文; 今西大介 |
| 发表日期 | 2005-04-27 |
| 专利号 | CN1610995A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种光输出效率高的半导体激光器元件，具有电流限制效率高、泄漏电流小、且温度特性良好，呈现低阈值电流，能够有效地将激光束限制在条形区内，且具有良好的光束轮廓。此半导体激光器元件(100)具有叠层结构，此叠层结构包含n－AlInP包层(103)、超晶格有源层(104)、p－AlInP第一包层(105)、GaInP腐蚀停止层(106)、以及形成在各层上且加工成条形脊形式的p－AlInP第二包层(107)、GaInP保护层(108)、p－GaAs接触层(109)。p侧电极(111)形成并直接覆盖在脊的顶部表面、脊侧面、以及脊侧面上的腐蚀停止层上。由n－AlInP包层和p－AlInP第一包层将超晶格有源层夹在之间，能够提高与有源层的能带隙差别。 |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 申请日期 | 2003-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91018]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤典文,今西大介. 半导体激光器及其制造方法. CN1610995A. 2005-04-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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