半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田哲朗 |
| 发表日期 | 2016-05-11 |
| 专利号 | CN105576503A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。为了改进半导体激光器的特性，块层被设置于具有n型包覆层、有源层和p型包覆层的台面型半导体部分的两侧。该块层具有：形成于台面型半导体部分的侧表面上以及于p型半导体基板之上的p型块层；形成于p型块层之上的高电阻层；以及形成于高电阻层之上的n型块层。高电阻层的电阻大于p型块层的电阻。通过这样在形成块层的p型块层和n型块层之间设置高电阻层，能够控制p型块层的厚度使其不变大，并且能够减小漏电流(空穴流)。此外，能够确保n型包覆层与n型块层之间的距离，并且因此能够防止漏电流(电子流)。 |
| 公开日期 | 2016-05-11 |
| 申请日期 | 2015-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91023]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田哲朗. 半导体激光器及其制造方法. CN105576503A. 2016-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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