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红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法

文献类型:专利

作者徐云; 陈良惠; 张玉芳; 宋国峰; 李玉璋; 种明; 郑婉华; 曹青
发表日期2008-12-03
专利号CN101316025A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法
英文摘要本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法,包括:在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层;在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层,并形成分别限制异质结构;在外延片上光刻腐蚀出光台面;在出光台面上淀积电绝缘膜;在电绝缘膜上制备P面电极;对N型衬底减薄抛光后制备N面电极;将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面,并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜;将单管芯激光器烧结到铜热沉上;采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角;采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。
公开日期2008-12-03
申请日期2007-05-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91068]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐云,陈良惠,张玉芳,等. 红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法. CN101316025A. 2008-12-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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