具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构
文献类型：专利
| 作者 | 马修·泽维尔·先尼; 竹冈忠士 |
| 发表日期 | 2015-06-24 |
| 专利号 | CN104733582A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构 |
| 英文摘要 | 本发明为具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构。基于III族氮化物的发光器件包括n型半导体层；第一p型半导体层；有源区；以及电子阻挡区，电子阻挡区包括位于有源区与第一p型半导体层之间的AlGaInN，并且至少包括升级层和降级层。电子阻挡区的升级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧增加，并且电子阻挡区的降级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧减小。基于氮化物的发光器件可以是发光二极管或激光二极管。 |
| 公开日期 | 2015-06-24 |
| 申请日期 | 2014-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91092]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马修·泽维尔·先尼,竹冈忠士. 具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构. CN104733582A. 2015-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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