半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 前田修; 谷口健博; 荒木田孝博 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101847822A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体激光器。该半导体激光器包括柱形层叠结构，该柱形层叠结构从基板开始依次包括基板上的第一多层反射镜、第一间隔层、AlxGayIn1-x-yP(其中0≤x＜1且0＜y＜1)基有源层、第二间隔层、第二多层反射镜和横模调节层，该柱形层叠结构还包括电流窄化层。电流窄化层包括在面内中间区域中的未氧化区域和在未氧化区域周围的环形氧化区域。横模调节层包括与未氧化区域对应的高反射区域和在高反射区域周围的环形低反射区域。假设未氧化区域的直径为Dox，高反射区域的直径为Dhr，则直径Dox和Dhr满足下面0.8＜Dhr/Dox＜5的关系。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2010-03-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田修,谷口健博,荒木田孝博. 半导体激光器. CN101847822A. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。