稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用
文献类型：专利
| 作者 | 王学锋; 杨森林; 施毅; 张荣; 郑有炓 |
| 发表日期 | 2012-07-25 |
| 专利号 | CN102603190A |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 |
| 英文摘要 | 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2:72mol%；Ga2S3:18mol%；CdI2:10mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制；材料制备参数易调整。 |
| 公开日期 | 2012-07-25 |
| 申请日期 | 2012-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91113]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王学锋,杨森林,施毅,等. 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用. CN102603190A. 2012-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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