激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 横山弘之; 河野俊介; 大木智之; 池田昌夫; 宫嶋孝夫; 渡边秀辉 |
| 发表日期 | 2014-07-09 |
| 专利号 | CN102403650B |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光二极管 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。 |
| 公开日期 | 2014-07-09 |
| 申请日期 | 2009-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91118]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横山弘之,河野俊介,大木智之,等. 激光二极管. CN102403650B. 2014-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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