一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 曲轶; 郭海侠; 石宝华; 高峰; 李再金; 李辉; 乔忠良; 张晶 |
| 发表日期 | 2016-03-16 |
| 专利号 | CN105406354A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅，涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于，利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长，利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光，经历显影、坚膜，最后利用体积配比为HCl:C2H6O2＝3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀，获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅，且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时，这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器，具有广泛的应用价值。 |
| 公开日期 | 2016-03-16 |
| 申请日期 | 2014-09-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91139]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曲轶,郭海侠,石宝华,等. 一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法. CN105406354A. 2016-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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