半导体激光器件制造方法和半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 竹冈忠士; 石仓卓郎 |
| 发表日期 | 2006-05-17 |
| 专利号 | CN1773790A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 公开了一种半导体激光器件制造方法，依次包括：第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行，因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。 |
| 公开日期 | 2006-05-17 |
| 申请日期 | 2005-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91159]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹冈忠士,石仓卓郎. 半导体激光器件制造方法和半导体激光器件. CN1773790A. 2006-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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