氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 太田征孝; 神川刚 |
| 发表日期 | 2011-03-30 |
| 专利号 | CN101997268A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。 |
| 公开日期 | 2011-03-30 |
| 申请日期 | 2010-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田征孝,神川刚. 氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置. CN101997268A. 2011-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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