半导体激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 程洋; 刘建平; 田爱琴; 冯美鑫; 张峰; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 |
| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785912A |
| 著作权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激光器通过在下波导层与量子阱有源区之间制备空穴阻挡层，从而有效阻挡了空穴从量子阱有源区向下波导层、下限制层的N型区一侧泄露，提高了载流子的注入效率，从而提升了该半导体激光器的性能。本发明还公开了上述半导体激光器的制作方法。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2016-05-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程洋,刘建平,田爱琴,等. 半导体激光器及其制作方法. CN106785912A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。