氮化物半导体激光器元件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 近江晋; 高谷邦启; 山下文雄; 种谷元隆 |
| 发表日期 | 2007-06-13 |
| 专利号 | CN1979984A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器元件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。 |
| 公开日期 | 2007-06-13 |
| 申请日期 | 2006-12-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近江晋,高谷邦启,山下文雄,等. 氮化物半导体激光器元件及其制作方法. CN1979984A. 2007-06-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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