边发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 阿尔瓦罗・戈麦斯-伊格莱西亚斯; 京特・格伦宁格; 克里斯蒂安・劳尔; 哈拉尔德・柯尼希 |
| 发表日期 | 2012-06-13 |
| 专利号 | CN102498625A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 公开了一种具有产生辐射的有源区(1)和全波导(8)的边发射半导体激光器，所述半导体激光器适用于对在有源区(1)中所产生的辐射在半导体激光器之内进行引导。全波导(8)包括第一n掺杂层(4)和设置在第一n掺杂层(4)和有源区(1)之间的第二n掺杂层(5)，其中第二n掺杂层(5)的折射率n2以数值dn大于第一n掺杂层(4)的折射率n1。 |
| 公开日期 | 2012-06-13 |
| 申请日期 | 2010-09-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91206]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿尔瓦罗・戈麦斯-伊格莱西亚斯,京特・格伦宁格,克里斯蒂安・劳尔,等. 边发射半导体激光器. CN102498625A. 2012-06-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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