掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 王国富; 潘建国; 林州斌; 胡祖树; 张莉珍 |
发表日期 | 2005-01-19 |
专利号 | CN1566415A |
著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明涉及人工晶体领域,特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸镧锶(Nd3+:Sr3La(BO3) 3)及其制备方法。采用提拉法(Czochralski方法),生长出了较大尺寸的Nd3+:Sr3La(BO3) 3晶体,其生长温度约1340℃,晶体转速10-15转/分钟,提拉速度0.5-0毫米/小时。该晶体属Pnma空间群,密度为3.5g/cm3,折射率78。光谱实验和计算表明,掺Nd浓度在3at%时,该晶体在806nm处有一强的吸收峰,半峰宽10nm,吸收截面4.67×10-20cm2,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦;另外,其在波长1060nm有强的荧光发射峰,发射跃迁截面为86×10-19cm2,半峰宽28nm,易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。 |
公开日期 | 2005-01-19 |
申请日期 | 2003-07-10 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91282] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国富,潘建国,林州斌,等. 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法. CN1566415A. 2005-01-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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