一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈芳; 李占国; 刘国军; 魏志鹏; 马晓辉; 徐莉; 周璐; 张晶; 李梅; 安宁 |
| 发表日期 | 2012-09-12 |
| 专利号 | CN102660775A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。 |
| 公开日期 | 2012-09-12 |
| 申请日期 | 2012-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈芳,李占国,刘国军,等. 一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法. CN102660775A. 2012-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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