激发半导体激光的固体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 东条公资 |
| 发表日期 | 2008-07-23 |
| 专利号 | CN101228676A |
| 著作权人 | 株式会社岛津制作所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激发半导体激光的固体激光装置 |
| 英文摘要 | 激发半导体激光的固体激光装置。在作为Nd:YAG端面的光谐振腔端部的端面上，在涂布相对于波长1064.4nm附近的HR涂层的同时，通过使Nd:YAG在光透过方向上的厚度成为在1064.4nm附近存在有反射峰，而在1068nm不存在反射峰的厚度，以在光谐振腔内不插入校准器等的结构实现在1064.4nm附近的单模振荡。 |
| 公开日期 | 2008-07-23 |
| 申请日期 | 2005-07-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91318]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社岛津制作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 东条公资. 激发半导体激光的固体激光装置. CN101228676A. 2008-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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