制造半导体器件的方法及半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 阿江敬; 北村昌太郎; 奥田哲朗; 加藤豪; 渡边功 |
| 发表日期 | 2015-03-25 |
| 专利号 | CN104466677A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造半导体器件的方法及半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 申请日期 | 2014-09-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿江敬,北村昌太郎,奥田哲朗,等. 制造半导体器件的方法及半导体器件. CN104466677A. 2015-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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