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半导体激光装置

文献类型:专利

作者松原和德; 堀口武; 小泉秀史
发表日期2008-05-28
专利号CN100391064C
著作权人夏普株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光装置
英文摘要在半导体激光装置中,在布线基板(101)的上面设置有焊盘图案,同时安装有块部件单元(102)。块部件单元(102)具有面向着同一方向的第一搭载面(113)和第二搭载面(114),同时具有变换光轴的垂直反射镜(111)。在第一搭载面(113)上搭载了射出激光光线L的半导体激光元件(103)。在第二搭载面(114)面上搭载了接受激光光线L的反射光的受光元件(104)。
公开日期2008-05-28
申请日期2005-07-20
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91344]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位夏普株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
松原和德,堀口武,小泉秀史. 半导体激光装置. CN100391064C. 2008-05-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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