半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川佑司; 大山昭宪; 宫田龙介 |
| 发表日期 | 2006-06-28 |
| 专利号 | CN1794524A |
| 著作权人 | 发那科株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置，具备：安装基体；通过软钎料接合在安装基体的安装面上的半导体激光器；以及设置在接合在安装基体的安装面上的半导体激光器的接合面上、通过在该接合面上形成的元件分离槽相互分离的发射极及钝化台面型晶体管区域部，在半导体激光器的接合面上的钝化台面型晶体管区域部上，形成有分离该钝化台面型晶体管区域部的至少一个台面型晶体管分离槽。由此，得到半导体激光器和安装基体不剥离程度的软钎料的接合强度。半导体激光器的接合面与安装基体的安装面之间的软钎料包含有配置在元件分离槽及台面型晶体管分离槽内壁上的圆角部。填充因数最好为50％或以上。 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 申请日期 | 2005-12-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 发那科株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川佑司,大山昭宪,宫田龙介. 半导体激光器装置. CN1794524A. 2006-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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