半导体激光器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 大久保伸洋; 国政文枝 |
| 发表日期 | 2004-09-01 |
| 专利号 | CN1525611A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 一种由以AlGaInP为基的材料制作的半导体激光器件，包括：形成在半导体衬底上面的一个第一导电类型的第一覆盖层，一个有源层和一个第二导电类型的第二覆盖层，其中在靠近激光谐振器端面的区域中的所述有源层的一部分，在光致发光中具有的峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的所述有源层的一部分中的光致发光峰值波长，而位于靠近激光谐振器端面的区域中的第二导电类型的第二覆盖层含有As原子，以及该半导体激光器件的一种制作方法。 |
| 公开日期 | 2004-09-01 |
| 申请日期 | 2004-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91373]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保伸洋,国政文枝. 半导体激光器件及其制作方法. CN1525611A. 2004-09-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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