半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 西山伸宏 |
| 发表日期 | 2006-12-20 |
| 专利号 | CN1881718A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光装置，其中第一反射表面设置在从半导体激光元件发射的监测光的光轴上，第二反射表面设置盖部分的内表面上。第一反射表面是倾斜的，从而在光轴上行进的监测光在第一反射表面反射，然后被第二反射表面反射以作为第二反射光入射到光接收元件的光接收表面。因此，光接收表面不但由偏离光轴行进的监测光直接从半导体激光元件入射到，而且由强度比偏离光轴行进的光更大的第二反射光入射到。本发明增加由光接收表面所接收的光的量，从而增加光接收元件的输出，基于此适当地控制驱动电流。 |
| 公开日期 | 2006-12-20 |
| 申请日期 | 2006-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西山伸宏. 半导体激光装置. CN1881718A. 2006-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。