半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 国政文枝 |
| 发表日期 | 2008-07-02 |
| 专利号 | CN100399655C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器。为了避免产生COD，在主体的发光端面附近的部分改善了散热性。具有用于发射激光的发光端面(150a)的主体(150)形成于半导体衬底，n型GaAs半导体衬底上。沿腔方向上，形成在主体(150)上发光端面(150a)附近的镀覆金属层(112)的前端部分(112a)的厚度比镀覆金属层(112)的中心部分(112b)的厚度厚。 |
| 公开日期 | 2008-07-02 |
| 申请日期 | 2006-04-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91388]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国政文枝. 半导体激光器. CN100399655C. 2008-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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