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激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法

文献类型:专利

作者藤井卓也
发表日期2007-07-04
专利号CN1992458A
著作权人优迪那半导体有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法
英文摘要本发明提供了激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器具有:第一衍射光栅区域,其具有段,具有增益,并具有反射光谱的第一离散峰值;第二衍射光栅区域,其具有彼此结合的多个段,并具有反射光谱的第二离散峰值。各段具有衍射光栅和间隔区域。衍射光栅的栅距彼此基本相等。第二离散峰值的波长间隔与第一离散峰值的不同。当第一离散峰值的给定峰值与第二离散峰值的给定峰值之间的关系改变时,第一离散峰值的给定峰值的一部分与第二离散峰值的给定峰值的一部分重叠。位于第一或第二衍射光栅区域中的第一段的光程要比第一和第二衍射光栅区域的其它段的光程短或长第一衍射光栅区域的所述衍射光栅的半个栅距的奇数倍。
公开日期2007-07-04
申请日期2006-12-26
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91419]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
藤井卓也. 激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法. CN1992458A. 2007-07-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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